Mobilne pamięci DRAM

Niskomocowe DDR SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja)		 Częstotliwość
zegara		  Napięcie 
zasilania
[V]		 Temperatura
pracy
[°C]		     Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W947D6HBH
 (1161 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 128 Mbit
(8Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9 mm)		 - N
W947D2HBJ
 (1161 kB) 		128 Mbit
(4Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13 mm)		 - N
W948D6FBH
 (963 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9 mm)		 - N
W948D2FBJ
 (963 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(8Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13 mm)		 - N
W948D6KBH
 (1057 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9 mm)		 - P
W948V6KBH
 (1089 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • głębokie samoodświeżanie (Deep Self-Refresh - DSR) pozwalajace zaoszczędzić 70% mocy w stosunku do samoodświeżania standardowego
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9 mm)		 - N
W949D6KBH
 (936 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 512 Mbit
(32Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9 mm)		 - N
W949D2KBJ
 (936 kB) 		512 Mbit
(16Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13 mm)		 - N
W949D6DBH
 (1071 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 512 Mbit
(32Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-60
(8x9 mm)		 N P
W949D2DBJ
 (1071 kB) 		512 Mbit
(16Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13 mm)		 N P
W94AD6KBH
 (1142 kB)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 1 Gbit
(64Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9 mm)		 N P
W94AD2KBJ
 (1142 kB) 		1 Gbit
(32Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13 mm)		 N P