Mobilne pamięci DRAM

Pseudo SRAM

Pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja)
Częstotliwość
zegara
Czas dostępu
[ns]
 Napięcie 
zasilania
[V]
Temperatura
pracy
[°C]
    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W956D6KBK
 (1710 kB)
CellularRAM-ADM:
  • multipleksowany adres/ dane
  • obsługuje tryb asynchroniczny i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
64 Mbit
(4Mx16)
133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)
-40 – +85 (I) WFBGA-49
(4x4 mm)
- P
W958D6DBC
 (1159 kB)
CellularRAM-ADM:
  • multipleksowany adres/ dane
  • obsługuje tryb asynchroniczny i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
256 Mbit
(16Mx16)
133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)
-40 – +85 (I) VFBGA-54
(6x8 mm)
- N
W968D6DAG
 (1678 kB)
CellularRAM:
  • obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
256 Mbit
(16Mx16)
133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)
-40 – +85 (I) VFBGA-54
(6x8 mm)
- N