O firmie Winbond

Firma Winbond Electronics Corporation powstała w 1987 roku w Hsinchu Science Park na Tajwanie.

Dotychczas była znana jako jeden z największych na świecie producentów szerokiej gamy układów scalonych dużej skali integracji (LSI) takich, jak mikrokontrolery, pamięci, układy telekomunikacyjne, układy logiczne do komputerów i układy dźwiękowe. W lipcu 2008 roku ze struktur Winbonda została utworzona nowa firma, Nuvoton Technology Corporation, będąca filią Winbonda, która przejęła jego linie produktowe w zakresie układów logicznych do komputerów i układów logicznych elektroniki użytkowej, za wyjątkiem pamięci.

Działalność firmy jest obecnie ukierunkowana wyłącznie na układy pamięci półprzewodnikowych, aktualnie w trzech grupach produktowych: Mobile DRAM, DRAM i Flash.

Winbond stosuje najnowocześniejsze technologie produkcji układów scalonych, posiada certyfikaty IECQ, ISO 9001, ISO 14001 i QS 9000. Wiele z pamięci posiada klasę motoryzacyjną zgodną ze specyfikacją AEC-Q100.
Firma otworzyła filie w USA, Japonii i Hong Kongu.

→ Czytaj więcej

Produkty firmy Winbond:

  • Mobilne pamięci DRAM
    • Pamięci Pseudo SRAM (PSRAM) – pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach w zakresie 64 – 256 Mb, pracujące z częstotliwością zegara 133 MHz. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.
    • Pamięci HyperRAM – udoskonalona wersja pamięci Pseudo SRAM, z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM, charakteryzująca się wyższą prędkością pracy i mniejszymi obudowami. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V lub 3 V, o pojemnościach w zakresie 32 – 512 Mb, pracujące z częstotliwością zegara do 250 MHz. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy.
    • Niskomocowe pamięci SDR SDRAM (LPSDR) – pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych w jednym cyklu zegara (SDR), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128 – 512 Mb, pracujące z częstotliwością zegara do 166 MHz.
    • Niskomocowe pamięci DDR SDRAM (LPDDR) – pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara (architektura DDR), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128 Mb – 1 Gb, pracujące z częstotliwością zegara do 200 MHz.
    • Niskomocowe pamięci DDR2 SDRAM (LPDDR2) – pamięci SDRAM o architekturze DDR 2-giej generacji (podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci LPDDR. Są to układy zasilane napięciami 1,8/1,2 V, o pojemnościach 256 Mb – 2 Gb, pracujące z częstotliwością zegara do 533 MHz.
    • Niskomocowe pamięci DDR3 SDRAM (LPDDR3) – pamięci SDRAM o architekturze DDR 3-ciej generacji (podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara), bazujące na standardzie JESD209-3, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciami 1,8/1,2 V, o pojemności 1 Gb. Pracują z częstotliwością zegara do 1066 MHz osiągając bardzo wysoką prędkość transferu do 2133 Mb/s/pin.
    • Niskomocowe pamięci DDR4/4X SDRAM (LPDDR4) – pamięci SDRAM o architekturze DDR 4-tej generacji (podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara), bazujące na standardzie JESD209-4, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciami 1,8/1,1/1,1 V (DDR4) lub 1,8/1,1/0,6 V (DDR4X), o pojemności 1 – 4 Gb. Pracują z częstotliwością zegara do 1866 MHz osiągając bardzo wysoką prędkość transferu do 3732 Mb/s/pin.
  • Pamięci DRAM
    • Pamięci SDRAM – synchroniczne pamięci DRAM pracujące z taką samą prędkością jak CPU. Są to układy zasilane napięciami 3,0 – 3,6 V lub 2,7 – 3,6 V, o pojemnościach w zakresie 16 – 256 Mb, pracujące z częstotliwościami zegara 133 – 200 MHz.
    • Pamięci DDR SDRAM – synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR (Double Data Rate – podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), uzyskujące dwukrotnie wyższą prędkość danych niż pamięci SDR SDRAM poprzez zastosowanie transferu danych na obu zboczach sygnału zegarowego. Są to układy zasilane napięciami 2,3 – 2,7 V lub 2,4 – 2,7 V, o pojemnościach w zakresie 64 – 256 Mb, pracujące z częstotliwościami zegara 166 – 250 MHz. Są zgodne ze specyfikacjami DDR-333, DDR-400 i DDR-500.
    • Pamięci DDR2 SDRAM – synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 2-giej generacji (Double Data Rate – podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR SDRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach w zakresie 128 Mb – 2 Gb, zgodne ze specyfikacjami DDR2-667, DDR2-800 i DDR2-1066.
    • Pamięci DDR3 SDRAM – synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 3-ciej generacji (Double Data Rate – podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR2 SDRAM. Są to układy zasilane napięciami 1,5 V ±0,075 V lub 1,283 – 1,45 V, o pojemnościach 1 – 8 Gb, zgodne ze specyfikacjami DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866 i DDR3-2133.
  • Pamięci Flash
    • Szeregowe pamięci NOR Flash – szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NOR z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym (seria X) lub pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu (seria Q) oraz z interfejsem QPI (Quad Peripheral Interface). Jest to seria układów o pojemnościach 512 kb – 2 Gb i zróżnicowanym zasilaniu 2,7 (2,3) – 3,6 V lub 1,65 – 1,95 V. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 133 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych 266 Mb/s w serii X oraz 532 Mb/s w serii Q. Charakteryzują się małą obudową 8-końcówkową, niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 20 lat.
    • Szeregowe pamięci NOR Flash o napięciu zasilania 1,2V – szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NOR z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu. Jest to seria układów o pojemności 8 – 512 Mb, napięciu zasilania 1,14 – 1,6 V i bardzo małym poborze mocy. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 104 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych 416 Mb/s. Charakteryzują się małą obudową 8-końcówkową, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 20 lat.
    • Szeregowe pamięci QspiNAND Flash – szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NAND z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu oraz z interfejsem QPI (Quad Peripheral Interface). Stanowią rozszerzenie serii pamięci szeregowych NOR Flash dla większych pojemności: 512 Mb – 4 Gb. Są to układy o napięciu zasilania 2,7 – 3,6 V lub 1,70 – 1,95 V, które mogą pracować z częstotliwością zegara do 166 MHz, co pozwala uzyskać maksymalną prędkość transferu danych do 532 Mb/s. Są produkowane w obudowach 8-, 16- i 24-końcówkowych i charakteryzują się niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 10 lat.
    • Szeregowe pamięci OctalNAND Flash – szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NAND z ośmiokrotnym interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface). Są to układy o pojemności 1 – 4 Gb, zasilane napięciem 1,70 – 1,95 V. Przy częstotliwości zegara do 120 MHz w trybie DTR (Dual Transfer Rate) osiągają prędkość transferu danych do 240 MB/s. Są produkowane w obudowach 24-końcówkowych.
    • Równoległe pamięci SLC NAND Flash – szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii SLC NAND z równoległą magistralą adresową/danych. Jest to seria układów o pojemności 1 – 8 Gb, z magistralą o szerokości 8 lub 16 bitów. Posiadają napięcie zasilania 2,7 – 3,6 V lub 1,7 – 1,95 V. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 40 MHz i charakteryzują się liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy, małym poborem mocy i trwałością zapisu 10 lat.
    • MCP na bazie NAND Flash – zespoły pamięci w jednej obudowie wieloukładowej MCP (Multi-Chip Package), zawierające równoległą pamięć NAND Flash oraz mobilną pamięć niskomocową LP DDR2 SDRAM, służące do przechowywania danych i kodu. Takie kompaktowe rozwiązanie pozwala uzyskać znaczną oszczędność miejsca na płytkach PCB. Uklady zawierają pamięci o pojemnościach: Flash 1 – 4 Gb i DRAM 512 Mb – 2 Gb w różnych kombinacjach i są zasilane napięciami 1,7 – 1,95 V i 1,14 – 1,30 V. Są produkowane w obudowach BGA.
    • Pamięci SpiStack Flash – Seria pamięci Flash z interfejsem szeregowym, składających się z piętrowo ułożonych struktur pamięci typu NOR i NAND w różnych kombinacjach, służących do przechowywania danych i kodu. Takie kompaktowe rozwiązanie pozwala uzyskać znaczną oszczędność miejsca na płytkach PCB. Zawierają struktury NOR Flash o pojemnościach 16 – 128 Mb oraz NAND Flash o pojemności 1 Gb. Układy są zasilane napięciem 2,7 – 3,6 V lub 1,7 – 1,95 V i dostarczane w obudowach WSON-8 i BGA-24.
    • Pamięci autoryzujące Flash – rodzina pamięci Flash z wbudowanymi zaawansowanymi mechanizmami zabezpieczeń w celu podwyższenia poziomu bezpieczeństwa podczas współpracy z szeroką gamą mikroprocesorów i układów SoC. Są to elementy wieloukładowe, wykonane na bazie szeregowych pamięci Flash z interfejsem SPI. Oprócz standardowych zabezpieczeń zawartych w typowych pamięciach Flash, układy te mają wbudowane dodatkowe zabezpieczenia przed nieautoryzowanym dostępem takie, jak akcelerator kryptograficzny HMAC-SHA-256, klucze główne programowane w trybie OTP, klucze HMAC i liczniki monotoniczne. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 133 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych do 532 Mb/s. Posiadają zasilanie 2,7 – 3,6 V lub 1,7 – 1,95 V i pojemności 64 Mb – 2 Gb.
    • Bezpieczne pamięci Flash TrustME – pamięci Flash z interfejsem szeregowym SPI w trybie standardowym/podwójnym/poczwórnym/ośmiokrotnym, przeznaczone szczególnie do aplikacji przemysłowych, Internetu Rzeczy (IoT) i kart UICC (SIM). Oprócz standardowych zabezpieczeń zawartych w typowych pamięciach Flash posiadają także dodatkowe funkcje bezpieczeństwa, zapewniające bezpieczny rozruch i odporność systemu oraz skuteczne zabezpieczenie operacji, takich jak aktualizacje bezprzewodowe i uwierzytelnianie urządzeń. Są certyfikowane na zgodność z normami bezpieczeństwa Common Criteria EAL2 (Evaluation Assurance Level 2+) lub Common Criteria EAL5+ (Evaluation Assurance Level 5+), oznaczającą odporność na ataki fizyczne. Pamięci te są podzielone na trzy grupy, posiadające różną funkcjonalność i różne pojemności: W77Q (16 Mb – 1 Gb) i W75F (4 – 32 Mb). Pracują, zależnie od grupy, na częstotliwościach 50 – 133 MHz.
dystrybucja

Zobacz więcej