Niskomocowe DDR3 SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 3-ciej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja)
|
Częstotliwość
zegara
|
Napięcie
zasilania
[V]
|
Temperatura
pracy
[°C]
|
Obudowa
|
Status *
|
| Motoryz. |
Komercyjny
i przemysłowy |
W63AH6NBV
 (2085 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
|
1 Gbit
(64Mx16) |
800 / 933 / 1066 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I) |
BGA-178 |
- |
P |
|
W63AH2NBV
(2085 kB)
1 Gbit
(32Mx32) |
800 / 933 / 1066 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I) |
BGA-178 |
- |
P |
|
|
