Niskomocowe DDR2 SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 2-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja)
|
Częstotliwość zegara
|
Napięcie zasilania [V]
|
Temperatura pracy [°C]
|
Obudowa
|
Status *
|
Motoryz. |
Komercyjny i przemysłowy |
W978H6KBV
(1876 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
|
256 Mbit (16Mx16) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
N |
N |
|
W978H2KBV
(1876 kB)
256 Mbit (8Mx32) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
N |
N |
|
W979H6KBV
(1877 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
|
512 Mbit (32Mx16) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
P |
N |
|
W979H2KBV
(1877 kB)
512 Mbit (16Mx32) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
P |
N |
|
W97AH6KBV
(1916 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
|
1 Gbit (64Mx16) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
N |
N |
|
W97AH2KBV
(1916 kB)
1 Gbit (32Mx32) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
N |
N |
|
W97AH6NBV
(1913 kB)
1 Gbit (64Mx16) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
P |
P |
|
W97AH2NBV
(1913 kB)
1 Gbit (32Mx32) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
P |
P |
|
W97BH6MBV
(1914 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
|
2 Gbit (128Mx16) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
N |
P |
|
W97BH2MBV
(1914 kB)
2 Gbit (64Mx32) |
400 MHz 533 MHz |
1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-134 (10x11,5 mm) |
N |
P |
|
|