Niskomocowe DDR SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja)
|
Częstotliwość zegara
|
Napięcie zasilania [V]
|
Temperatura pracy [°C]
|
Obudowa
|
Status *
|
Motoryz. |
Komercyjny i przemysłowy |
W947D6HBH
(1161 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
|
128 Mbit (8Mx16) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-60 (8x9 mm) |
- |
N |
|
W947D2HBJ
(1161 kB)
128 Mbit (4Mx32) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-90 (8x13 mm) |
- |
N |
|
W948D6FBH
(963 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
|
256 Mbit (16Mx16) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-60 (8x9 mm) |
- |
N |
|
W948D2FBJ
(963 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
|
256 Mbit (8Mx32) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-90 (8x13 mm) |
- |
N |
|
W948D6KBH
(1057 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
|
256 Mbit (16Mx16) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-60 (8x9 mm) |
- |
P |
|
W948V6KBH
(1089 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- głębokie samoodświeżanie (Deep Self-Refresh - DSR) pozwalajace zaoszczędzić 70% mocy w stosunku do samoodświeżania standardowego
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
|
256 Mbit (16Mx16) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-60 (8x9 mm) |
- |
N |
|
W949D6KBH
(936 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
|
512 Mbit (32Mx16) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-60 (8x9 mm) |
- |
N |
|
W949D2KBJ
(936 kB)
512 Mbit (16Mx32) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-90 (8x13 mm) |
- |
N |
|
W949D6DBH
(1071 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
|
512 Mbit (32Mx16) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny |
VFBGA-60 (8x9 mm) |
N |
P |
|
W949D2DBJ
(1071 kB)
512 Mbit (16Mx32) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-90 (8x13 mm) |
N |
P |
|
W94AD6KBH
(1142 kB)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
|
1 Gbit (64Mx16) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-60 (8x9 mm) |
N |
P |
|
W94AD2KBJ
(1142 kB)
1 Gbit (32Mx32) |
166 MHz (-6) 200 MHz (-5) |
1,8/1,8 (VDD/VDDQ) |
-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) |
VFBGA-90 (8x13 mm) |
N |
P |
|
|