Pseudo SRAM

Pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		Czas dostępu
[ns] 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W956D6KBK CellularRAM-ADM:
  • multipleksowany adres/ dane
  • obsługuje tryb asynchroniczny i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 64 Mbit
(4Mx16)		 133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -40 – +85 (I) WFBGA-49
(4x4 mm)		 - P
W958D6DBC CellularRAM-ADM:
  • multipleksowany adres/ dane
  • obsługuje tryb asynchroniczny i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 256 Mbit
(16Mx16)		 133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -40 – +85 (I) VFBGA-54
(6x8 mm)		 - N
W968D6DAG CellularRAM:
  • obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 256 Mbit
(16Mx16)		 133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -40 – +85 (I) VFBGA-54
(6x8 mm)		 - N


PDW MARTHEL ul. Sosnowa 24-5 Bielany Wrocławskie 55-040 Kobierzyce
tel. (71) 311 07 11 fax: (71) 311 07 13 marthelinfo@marthel.pl
Polityka jakości