Pseudo SRAM

Pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.

* Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Czas dostępu [ns]	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	* Status	* Wersja motoryz.
W966K6HBG (1420 kB)	CellularRAM: obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	32 Mbit (2Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	P
W956K6HBC (1368 kB)	CellularRAM-ADM: multipleksowany adres/ dane obsługuje tryb asynchroniczny i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	32 Mbit (2Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	P
W966D6HBG	CellularRAM: obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	64 Mbit (4Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	P
W956D6HBC (1368 kB)	CellularRAM-ADM: multipleksowany adres/ dane obsługuje tryb asynchroniczny i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	64 Mbit (4Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	P
W956D6KBK (1710 kB)	CellularRAM-ADM: multipleksowany adres/ dane obsługuje tryb asynchroniczny i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	64 Mbit (4Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	WFBGA-49 (4x4 mm2)	P
W967D6HBG (1382 kB)	CellularRAM: obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	128 Mbit (8Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	P
W957D6HBC (1347 kB)	CellularRAM-ADM: multipleksowany adres/ dane obsługuje tryb asynchroniczny i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	128 Mbit (8Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	P
W968D6DAG (1420 kB)	CellularRAM: obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	256 Mbit (16Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	UD
W958D6DBC (1361 kB)	CellularRAM-ADM: multipleksowany adres/ dane obsługuje tryb asynchroniczny i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	256 Mbit (16Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 - +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	UD

Niskomocowe SDR SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych (SDR), posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	* Status	* Wersja motoryz.
W987D6HBGX (1081 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	128 Mbit (8Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	P
W987D2HBJX (1081 kB)		128 Mbit (4Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	P
W988D6FBGX (1036 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	P
W988D2FBJX (1036 kB)		256 Mbit (8Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	P
W989D6KBGX (1449 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	N
W989D2KBJX (1449 kB)		512 Mbit (16Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	N
W989D6DBGX (862 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	P
W989D2DBJX (862 kB)		512 Mbit (16Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	P

Niskomocowe DDR SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	* Status	* Wersja motoryz.
W947D6HBHX (1161 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	128 Mbit (8Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 - +85 (G) Niski IDD6: -25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	P
W947D2HBJX (1161 kB)		128 Mbit (4Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 - +85 (G) Niski IDD6: -25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	P
W948D6FBHX (963 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 - +85 (G) Niski IDD6: -25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	P
W948D6KBH		256 Mbit (16Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 - +85 (G) Niski IDD6: -25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	S
W948V6KBH (DSR)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) głębokie samoodświeżanie (Deep Self-Refresh - DSR) pozwalajace zaoszczędzić 70% mocy w stosunku do samoodświeżania standardowego tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 - +85 (G) Niski IDD6: -25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	S
W948D2FBJX (963 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (8Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 - +85 (G) Niski IDD6: -25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	P
W949D6KBHX (936 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	N
W949D2KBJX (936 kB)		512 Mbit (16Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	N
W949D6DBHX (953 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	P
W949D2DBJX (953 kB)		512 Mbit (16Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	P
W94AD6KBHX (939 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	1 Gbit (64Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	P
W94AD2KBJX (939 kB)		1 Gbit (32Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	P

Niskomocowe DDR2 SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 2-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	* Status	* Wersja motoryz.
W978H6KBQX (1845 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	WFBGA-168 (12x12 mm2)	P
W978H2KBQX (1845 kB)		256 Mbit (8Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	WFBGA-168 (12x12 mm2)	P
W978H6KBVX (1845 kB)		256 Mbit (16Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P
W978H2KBVX (1845 kB)		256 Mbit (8Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P
W978H6KBQA	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny (A, K) zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	WFBGA-168 (12x12 mm2)		P
W978H2KBQA		256 Mbit (8Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	WFBGA-168 (12x12 mm2)		P
W978H6KBVA		256 Mbit (16Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)		P
W978H2KBVA		256 Mbit (8Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)		P
W979H6KBQX (2453 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	WFBGA-168 (12x12 mm2)	P
W979H2KBQX (2453 kB)		512 Mbit (16Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	WFBGA-168 (12x12 mm2)	P
W979H6KBVX (2453 kB)		512 Mbit (32Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P
W979H2KBVX (2453 kB)		512 Mbit (16Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P
W979H6KBQA	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny (A, K) zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	WFBGA-168 (12x12 mm2)		P
W979H2KBQA		512 Mbit (16Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	WFBGA-168 (12x12 mm2)		P
W979H6KBVA		512 Mbit (32Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)		P
W979H2KBVA		512 Mbit (16Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)		P
W97AH6KBQX (1900 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 8 banków różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	1 Gbit (64Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	WFBGA-168 (12x12 mm2)	P
W97AH2KBQX (1900 kB)		1 Gbit (32Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	WFBGA-168 (12x12 mm2)	P
W97AH6KBVX (1900 kB)		1 Gbit (64Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P
W97AH2KBVX (1900 kB)		1 Gbit (32Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P
W97AH6KBQA	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 8 banków różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny (A, K) zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	1 Gbit (64Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	WFBGA-168 (12x12 mm2)		P
W97AH2KBQA		1 Gbit (32Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	WFBGA-168 (12x12 mm2)		P
W97AH6KBVA		1 Gbit (64Mx16)	400 MHz 533 MHzz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)		P
W97AH2KBVA		1 Gbit (32Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I) Motoryzacyjny: -40 - +85 (A) -40 - +105 (K) -40 - +115	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)		P
W97BH6LBVX (4092 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 8 banków różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	2 Gbit (128Mx16)	400 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	S
W97BH2LBVX (4092 kB)		2 Gbit (64Mx32)	400 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 - +85 (E) -40 - +85 (I)	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	S

Niskomocowe DDR3 SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 3-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.