Pseudo SRAM

Pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		Czas dostępu
[ns] 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W956D6KBK CellularRAM-ADM:
  • multipleksowany adres/ dane
  • obsługuje tryb asynchroniczny i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 64 Mbit
(4Mx16)		 133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -40 – +85 (I) WFBGA-49
(4x4-mm)		 - P
W958D6DBC CellularRAM-ADM:
  • multipleksowany adres/ dane
  • obsługuje tryb asynchroniczny i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 256 Mbit
(16Mx16)		 133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -40 – +85 (I) VFBGA-54
(6x8-mm)		 - N
W968D6DAG CellularRAM:
  • obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
  • zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
  • głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 256 Mbit
(16Mx16)		 133 MHz 70 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -40 – +85 (I) VFBGA-54
(6x8-mm)		 - N


HyperRAM

Udoskonalona wersja pamięci Pseudo SRAM, z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM, charakteryzująca się wyższą prędkością pracy i mniejszymi obudowami.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		Czas dostępu
[ns] 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W955K8MBY
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
 32 Mbit
(4Mx8)		 200 MHz 35 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 TFBGA-24
(6x8-mm)		 P P
W955N8MBY
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
 32 Mbit
(4Mx8)		 200 MHz 35 3,0
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 TFBGA-24
(6x8-mm)		 N N
W956D8MWS
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 64 Mbit
(8Mx8)		 200 MHz 35 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I) TFBGA-24
(6x8-mm)		 - P
W956D8MBY
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
 64 Mbit
(8Mx8)		 200 MHz 35 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 TFBGA-24
(6x8-mm)		 P P
W956A8MBY
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
 64 Mbit
(8Mx8)		 200 MHz 35 3,0
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 TFBGA-24
(6x8-mm)		 N N
W957D8MFY
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
 128 Mbit
(16Mx8)		 200 MHz   1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 BGA-24 P P
W957D8NWS
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 128 Mbit
(16Mx8)		 200 / 250 MHz   1,8 – 1,35
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I) WLCSP - P
W957D6NBG
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 16-bitowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 128 Mbit
(8Mx16)		 200 / 250 MHz   1,8 – 1,35
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I) BGA-49 - P
W958D8NBY
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
 256 Mbit
(32Mx8)		 200 / 250 MHz 28 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 TFBGA-24
(6x8-mm)		 P P
W958D8NWS
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 256 Mbit
(32Mx8)		 200 MHz 35 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I) WLCSP-30 - P
W958D6NWS
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 16-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 256 Mbit
(16Mx16)		 200 MHz 35 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I) WLCSP-30 - P
W958D6NBK
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 16-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 256 Mbit
(16Mx16)		 200 / 250 MHz 28 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I) WFBGA-49 - P
W959D8NFY
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 8-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
 512 Mbit
(64Mx8)		 200 / 250 MHz 28 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 TFBGA-24
(6x8-mm)
DDP (podwójna struktura)		 P P
W959D6NFK
  • interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
  • magistrala danych 16-bitowa
  • szybkie operacje odczytu i zapisu
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • sprzętowy Reset
  • bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
  • zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
  • tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
  • tryby odświeżania: pełne lub częściowe
  • mała obudowa
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 512 Mbit
(32Mx16)		 200 / 250 MHz 28 1,8
(VCC, VCCQ)		 -40 – +85 (I) WFBGA-49
DDP (podwójna struktura)		 - P


Niskomocowe SDR SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych (SDR), posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W987D6HBG
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -6, -75
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 128 Mbit
(8Mx16)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-54
(8x9-mm)		 - N
W987D2HBJ 128 Mbit
(4Mx32)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 - N
W988D6FBG
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -6, -75
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-54
(8x9-mm)		 - N
W988D2FBJ 256 Mbit
(8Mx32)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 - N
W989D6KBG
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -6, -75
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 512 Mbit
(32Mx16)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-54
(8x9-mm)		 - N
W989D2KBJ 512 Mbit
(16Mx32)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 - N
W989D6DBG
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -6, -75
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 512 Mbit
(32Mx16)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-54
(8x9-mm)		 - P
W989D2DBJ 512 Mbit
(16Mx32)		 133 MHz (-75)
166 MHz (-6)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 - P


Niskomocowe DDR SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W947D6HBH
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 128 Mbit
(8Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9-mm)		 - N
W947D2HBJ 128 Mbit
(4Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 - N
W948D6FBH
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9-mm)		 - N
W948D2FBJ
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(8Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 - N
W948D6KBH
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9-mm)		 - P
W948V6KBH
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • głębokie samoodświeżanie (Deep Self-Refresh - DSR) pozwalajace zaoszczędzić 70% mocy w stosunku do samoodświeżania standardowego
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 Standardowy IDD6:
-25 – +85 (G)

Niski IDD6:
-25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9-mm)		 - N
W949D6KBH
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 512 Mbit
(32Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9-mm)		 - N
W949D2KBJ 512 Mbit
(16Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 - N
W949D6DBH
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 512 Mbit
(32Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-60
(8x9-mm)		 N P
W949D2DBJ 512 Mbit
(16Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 N P
W94AD6KBH
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • klasy prędkości: -5, -6
  • CAS Latency: 2, 3
  • długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 1 Gbit
(64Mx16)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-60
(8x9-mm)		 N P
W94AD2KBJ 1 Gbit
(32Mx32)		 166 MHz (-6)
200 MHz (-5)		 1,8/1,8
(VDD/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 VFBGA-90
(8x13-mm)		 N P


Niskomocowe DDR2 SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 2-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W978H6KBV
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 256 Mbit
(16Mx16)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 N N
W978H2KBV 256 Mbit
(8Mx32)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 N N
W979H6KBV
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 4, 8, 16
  • 4 banki
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 512 Mbit
(32Mx16)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 P N
W979H2KBV 512 Mbit
(16Mx32)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 P N
W97AH6KBV
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 4, 8, 16
  • 8 banków
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 1 Gbit
(64Mx16)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 N N
W97AH2KBV 1 Gbit
(32Mx32)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 N N
W97AH6NBV 1 Gbit
(64Mx16)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 P P
W97AH2NBV 1 Gbit
(32Mx32)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 P P
W97BH6MBV
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 4, 8, 16
  • 8 banków
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
  • zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
  • niski pobór mocy
 2 Gbit
(128Mx16)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 N P
W97BH2MBV 2 Gbit
(64Mx32)		 400 MHz
533 MHz		 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)

Motoryzacyjny		 VFBGA-134
(10x11,5-mm)		 N P


Niskomocowe DDR3 SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 3-ciej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W63AH6NBV
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • 8 banków
  • różnicowe wejścia zegarowe
  • maskowanie danych przy zapisie
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
  • niski pobór mocy
 1 Gbit
(64Mx16)		 800 / 933 / 1066 MHz 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 BGA-178 - P
W63AH2NBV 1 Gbit
(32Mx32)		 800 / 933 / 1066 MHz 1,8 (VDD1)

1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ)		 -25 – +85 (E)
-40 – +85 (I)		 BGA-178 - P


Niskomocowe DDR4/4X SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 4-tej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,1/1,1 V (DDR4) lub 1,8/1,1/0,6 V (DDR4X), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		Częstotliwość
zegara 		 Napięcie 
zasilania
[V] 		Temperatura
pracy
[°C] 		    Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W66AP6NBU
  • organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy plus (J)
 1 Gbit
(64Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (J) WFBGA-200 - P
W66AQ6NBU 1 Gbit
(64Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +105 (J) WFBGA-200 - P
W66AP6NBH
  • organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy plus (J)
 1 Gbit
(64Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (J) VFBGA-100 - P
W66AQ6NBH 1 Gbit
(64Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +105 (J) VFBGA-100 - P
W66AP6NBQ
  • organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy plus (J)
 1 Gbit
(64Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (J) TFBGA-200 - P
W66AQ6NBQ 1 Gbit
(64Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +105 (J) TFBGA-200 - P
W66BP6NBU
  • organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy plus (J), motoryzacyjny
 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (I)

Motoryzacyjny		 WFBGA-200 P P
W66BQ6NBU 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +105 (I)

Motoryzacyjny		 WFBGA-200 P P
W66BP6NBH
  • organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy plus (J)
 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (I) VFBGA-100 - P
W66BQ6NBH 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +105 (I) VFBGA-100 - P
W66BP6NBQ
  • organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy plus (J)
 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (I) TFBGA-200 - P
W66BQ6NBQ 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +105 (I) TFBGA-200 - P
W66BQ2NQU
  • organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), przemysłowy plus (J)
 2 Gbit
(64Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +95 (I)
-40 – +105 (I)		 WFBGA-200 - P
W66BP2NQU 2 Gbit
(64Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (I) WFBGA-200 - P
W66BQ2NQQ
  • organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), przemysłowy plus (J)
 2 Gbit
(64Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +95 (I)
-40 – +105 (I)		 TFBGA-200 - P
W66BP2NQQ 2 Gbit
(64Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (I) TFBGA-200 - P
W66CQ2NQU
  • organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy plus (J), motoryzacyjny
 4 Gbit
(128Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +105

Motoryzacyjny		 WFBGA-200 P P
W66CP2NQU 4 Gbit
(128Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105

Motoryzacyjny		 WFBGA-200 P P
W66CQ2NQQ
  • organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package)
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • długość cyklu burst: 16/32
  • 8 banków
  • tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
  • tryb czuwania (Power-down)
  • zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), przemysłowy plus (J)
 4 Gbit
(128Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 0,6 -40 – +95 (I)
-40 – +105 (I)		 TFBGA-200 - P
W66CP2NQQ 4 Gbit
(128Mx16x2 kanały)		 1600 / 1866 / 2133 MHz 1,8 / 1,1 / 1,1 -40 – +105 (I) TFBGA-200 - P


PDW MARTHEL ul. Sosnowa 24-5 Bielany Wrocławskie 55-040 Kobierzyce
tel. (71) 311 07 11 fax: (71) 311 07 13 marthelinfo@marthel.pl
Polityka jakości