marthel.pl / o firmie winbond

Firma Winbond Electronics Corporation powstała w 1987 roku w Hsinchu Science Park na Tajwanie. Dotychczas była znana jako jeden z największych na świecie producentów szerokiej gamy układów scalonych dużej skali integracji (LSI) takich, jak mikrokontrolery, pamięci, układy telekomunikacyjne, układy logiczne do komputerów i układy dźwiękowe. W lipcu 2008 roku ze struktur Winbonda została utworzona nowa firma, Nuvoton Technology Corporation, będąca filią Winbonda, która przejęła jego linie produktowe w zakresie układów logicznych do komputerów i układów logicznych elektroniki użytkowej, za wyjątkiem pamięci.

Działalność firmy jest obecnie ukierunkowana wyłącznie na pamięci, aktualnie w czterech grupach produktowych: Mobile RAM, DRAM, Graphics DRAM i Flash. Winbond stosuje najnowocześniejsze technologie produkcji układów scalonych, posiada certyfikaty IECQ, ISO 9001, ISO 14001 i QS 9000. Firma otworzyła filie w USA, Japonii i Hong Kongu.

Posiadamy w swojej ofercie pełen asortyment pamięci firmy Winbond.

  • Mobilne pamięci RAM


    • Pamięci Pseudo SRAM (PSRAM) - pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V lub 3,3 V, o pojemnościach w zakresie 32...256 Mbit, pracujące z częstotliwością zegara 133 MHz. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.


    • Niskomocowe pamięci SDR SDRAM (LPSDR) - szybkie pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych (SDR) wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128...512 Mbit, pracujące z częstotliwością zegara 133 MHz.


    • Niskomocowe pamięci DDR SDRAM (LPDDR) - szybkie pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128...512 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 133...200 MHz.


  • Pamięci DRAM


    • Pamięci SDRAM - szybkie synchroniczne pamięci DRAM pracujące z taką samą prędkością jak CPU. Są to układy zasilane napięciem 3,3 V, o pojemnościach w zakresie 16...256 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 133...200 MHz.


    • Pamięci DDR SDRAM - szybkie synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), wykorzystujące transfer danych na obu zboczach, narastającym i opadającym, sygnału zegarowego. Są to układy zasilane napięciem 2,5 V, o pojemnościach w zakresie 256...256 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 166...250 MHz. Są zgodne ze specyfikacjami DDR-333, DDR-400 i DDR-500.


    • Pamięci DDR2 SDRAM - szybkie synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 2-giej generacji (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR SDRAM dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach w zakresie 128 Mbit...2 Gbit, zgodne ze specyfikacjami DDR2-667, DDR2-800 i DDR2-1066.


    • Pamięci DDR3 SDRAM - szybkie synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 3-ciej generacji (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR2 SDRAM dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania. Są to układy zasilane napięciem 1,5 V, o pojemności 1 Gbit, zgodne ze specyfikacjami DDR3-1333, DDR3-1600 i DDR3-1866.


  • Graficzne pamięci DRAM - szybkie pamięci DRAM zawierające układy typu DDR2, DDR3, GDDR3 i GDDR5, przeznaczone do szerokiego zakresu aplikacji graficznych takich, jak karty graficzne VGA, notebooki i konsole do gier. Są to układy zasilane napięciami 1,5 V lub 1,8 V, o pojemności 1 Gbit, osiągające prędkość transferu danych do 5 Gbit/s.


  • Pamięci Flash


    • Równoległe pamięci Flash - szybkie pamięci nieulotne z równoległymi magistralami: adresową i danych, charakteryzujące się liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy, małym poborem mocy i trwałością zapisu 20 lat. Jest to seria układów o zasilaniu 3,3 V i pojemnościach 32...256 Mbit.


    • Szeregowe pamięci Flash - szybkie pamięci nieulotne z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o podwójnym (seria X) lub podwójnym/poczwórnym wyjściu (seria Q). Mogą pracować z częstotliwością zegara do 104 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych 208 Mbit/s w serii X oraz 416 Mbit/s w serii Q. Jest to seria układów o zróżnicowanym zasilaniu 2,7 (2,3)...3,6 V lub 1,65...1,95 V i pojemnościach 512 kbit ...128 Mbit, które charakteryzują się małą obudową 8-końcówkową, niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 20 lat.


  Zestawienia tabelaryczne:
 - Mobilne pamięci RAM
 - Pamięci DRAM
 - Graficzne pamięci DRAM
 - Pamięci Flash