marthel.pl / dystrybucja / o firmie winbond
  Zestawienia produktów

 - Mobilne pamięci DRAM
 - Pamięci DRAM
 - Pamięci Flash

Firma Winbond Electronics Corporation powstała w 1987 roku w Hsinchu Science Park na Tajwanie. Dotychczas była znana jako jeden z największych na świecie producentów szerokiej gamy układów scalonych dużej skali integracji (LSI) takich, jak mikrokontrolery, pamięci, układy telekomunikacyjne, układy logiczne do komputerów i układy dźwiękowe. W lipcu 2008 roku ze struktur Winbonda została utworzona nowa firma, Nuvoton Technology Corporation, będąca filią Winbonda, która przejęła jego linie produktowe w zakresie układów logicznych do komputerów i układów logicznych elektroniki użytkowej, za wyjątkiem pamięci.
Działalność firmy jest obecnie ukierunkowana wyłącznie na układy pamięci półprzewodnikowych, aktualnie w trzech grupach produktowych: Mobile DRAM, DRAM i Flash.

Winbond stosuje najnowocześniejsze technologie produkcji układów scalonych, posiada certyfikaty IECQ, ISO 9001, ISO 14001 i QS 9000. Wiele z pamięci posiada klasę motoryzacyjną zgodną ze specyfikacją AEC-Q100.
Firma otworzyła filie w USA, Japonii i Hong Kongu.

Posiadamy w swojej ofercie pełny asortyment pamięci firmy Winbond.

  • Mobilne pamięci DRAM


    • Pamięci Pseudo SRAM (PSRAM) - pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V lub 3,3 V, o pojemnościach w zakresie 32 - 256 Mbit, pracujące z częstotliwością zegara 133 MHz. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.


    • Niskomocowe pamięci SDR SDRAM (LPSDR) - pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych w jednym cyklu zegara (SDR), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128 - 512 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 133 MHz lub 166 MHz.


    • Niskomocowe pamięci DDR SDRAM (LPDDR) - pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara (architektura DDR), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128 Mbit - 1 Gbit, pracujące z częstotliwościami zegara 166 MHz lub 200 MHz.


    • Niskomocowe pamięci DDR2 SDRAM (LPDDR2) - pamięci SDRAM o architekturze DDR 2-giej generacji (podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci LPDDR. Są to układy zasilane napięciami 1,8/1,2 V, o pojemnościach 256 Mbit - 2 Gbit, pracujące z częstotliwościami zegara 400 MHz lub 533 MHz.


  • Pamięci DRAM


    • Pamięci SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM pracujące z taką samą prędkością jak CPU. Są to układy zasilane napięciem 3,3 V, o pojemnościach w zakresie 16 - 256 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 133 - 200 MHz.


    • Pamięci DDR SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), uzyskujące dwukrotnie wyższą prędkość danych niż pamięci SDR SDRAM poprzez zastosowanie transferu danych na obu zboczach sygnału zegarowego. Są to układy zasilane napięciem 2,5 V, o pojemnościach w zakresie 256 - 256 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 166 - 250 MHz. Są zgodne ze specyfikacjami DDR-333, DDR-400 i DDR-500.


    • Pamięci DDR2 SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 2-giej generacji (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR SDRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach w zakresie 128 Mbit - 2 Gbit, zgodne ze specyfikacjami DDR2-667, DDR2-800 i DDR2-1066.


    • Pamięci DDR3 SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 3-ciej generacji (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR2 SDRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,5 V, o pojemności 1 Gbit, zgodne ze specyfikacjami DDR3-1333, DDR3-1600 i DDR3-1866.
      W grupie tej znajdują się również szybkie graficzne pamięci GDDR3, przeznaczone do szerokiego zakresu aplikacji graficznych takich, jak karty graficzne VGA, notebooki i konsole do gier. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemności 1 Gbit, osiągające prędkość transferu danych do 1 Gbit/s.


  • Pamięci Flash


    • Równoległe pamięci NOR Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NOR z równoległymi magistralami: adresową i danych, charakteryzujące się liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy, małym poborem mocy i trwałością zapisu 20 lat. Posiadają zasilanie 3,3 V i pojemności 32 - 512 Mbit.


    • Szeregowe pamięci NOR Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NOR z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym (seria X) lub pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu (seria Q). Mogą pracować z częstotliwością zegara do 104 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych 208 Mbit/s w serii X oraz 416 Mbit/s w serii Q. Jest to seria układów o zróżnicowanym zasilaniu 2,7 (2,3) - 3,6 V lub 1,65 - 1,95 V i pojemnościach 512 kbit - 512 Mbit, które charakteryzują się małą obudową 8-końcówkową, niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 20 lat.


    • Równoległe pamięci SLC NAND Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii SLC NAND z równoległą magistralą adresową/danych, charakteryzujące się liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy, małym poborem mocy i trwałością zapisu 10 lat. Posiadają zasilanie 2,7 - 3,6 V or 1,7 - 1,95 V i pojemności 1, 2 lub 4 Gbit.


    • Szeregowe pamięci NAND Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NAND z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu. Stanowią rozszerzenie serii pamięci szeregowych NOR Flash dla większych pojemności: 1 Gbit i 2 Gbit. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 104 MHz, co pozwala uzyskać maksymalną prędkość transferu danych równą 416 Mbit/s. Są produkowane w małych obudowach 8- lub 24-końcówkowych i charakteryzują się niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 10 lat.


    • MCP na bazie NAND Flash - zespoły pamięci w jednej obudowie wieloukładowej MCP (Multi-Chip Package), zawierające równoległą pamięć NAND Flash oraz mobilną pamięć niskomocową DDR SDRAM lub DDR2 SDRAM, służące do przechowywania danych i kodu. Takie kompaktowe rozwiązanie pozwala uzyskać znaczną oszczędność miejsca na płytkach PCB. Uklady są zasilane napięciem 1,7 - 1,95 V i zawierają pamięci o pojemnościach 512 Mbit, 1 Gbit lub 2 Gbit w różnych kombinacjach. Są dostarczane w obudowach BGA.


    • Pamięci SpiStack Flash - Seria pamięci Flash z interfejsem szeregowym, składających się z piętrowo ułożonych struktur pamięci typu NOR i NAND w różnych kombinacjach, służących do przechowywania danych i kodu. Takie kompaktowe rozwiązanie pozwala uzyskać znaczną oszczędność miejsca na płytkach PCB. Zawierają struktury NOR Flash o pojemnościach 16 - 128 Mbit oraz NAND Flash o pojemności 1 Gbit. Układy są zasilane napięciem 2,7 - 3,6 V lub 1,7 - 1,95 V i dostarczane w obudowach WSON8 lub SOIC16.


    • Pamięci autoryzujące Flash TrustME - rodzina pamięci Flash o handlowej nazwie TrustME (Trusted Memory Environment), z wbudowanymi zaawansowanymi mechanizmami zabezpieczeń w celu podwyższenia poziomu bezpieczeństwa podczas współpracy z szeroką gamą mikroprocesorów i układów SoC. Są to elementy wieloukładowe, wykonane na bazie szeregowych pamięci Flash z interfejsem SPI. Oprócz standardowych zabezpieczeń zawartych w typowych pamięciach Flash, układy TrustME mają wbudowane dodatkowe zabezpieczenia przed nieautoryzowanym dostępem takie, jak akcelerator kryptograficzny HMAC-SHA-256, klucze główne programowane w trybie OTP, klucze HMAC i liczniki monotoniczne. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 104 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych do 416 Mbit/s. Posiadają zasilanie 2,7 - 3,6 V lub 1,65 - 1,95 V i pojemność 32 Mbit - 1 Gbit.

 
Zestawienia produktów

 - Mobilne pamięci DRAM
 - Pamięci DRAM
 - Pamięci Flash